2.5D封裝定義與特點

2.5D封裝技術作為一種先進的封裝技術，它的定義和特點對于理解其在電子系統(tǒng)中的應用和優(yōu)勢至關重要。

定義

2.5D封裝技術的定義可以從幾個不同的角度來解釋。首先，它是一種介于傳統(tǒng)2D封裝和3D封裝之間的過渡技術1。這種技術通過使用硅中介層（Silicon Interposer）和硅通孔（Through-Silicon Via, TSV）實現(xiàn)芯片之間的垂直電氣連接，從而提高系統(tǒng)的整體性能。2.5D封裝還可以被視為一種異構(gòu)芯片封裝，能夠?qū)崿F(xiàn)多個芯片的高密度線路連接，集成為一個封裝3。

特點

2.5D封裝技術的主要特點包括：

高性能

硅中介層提供了高密度的互連，使得芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸速度大大提高。這一點在搜索結(jié)果中得到了明確的闡述，指出2.5D封裝技術的關鍵在于硅中介層的設計和制造，以及硅通孔（TSV）技術實現(xiàn)的垂直互連1。

靈活性

2.5D封裝可以集成不同工藝、不同功能的芯片，實現(xiàn)了異構(gòu)集成。這種靈活性使得2.5D封裝在實際應用中具有更大的適應性和可能性1。

可擴展性

通過增加硅中介層的面積和TSV的數(shù)量，可以方便地擴展系統(tǒng)的功能和性能。這意味著2.5D封裝技術能夠適應未來技術發(fā)展的需求，容易進行升級和擴展1。

制造成本相對較低

盡管2.5D封裝技術存在一些挑戰(zhàn)，如制造成本高，但相比于3D封裝技術，2.5D封裝的制造工藝相對較為成熟，成本相對較低。這使得2.5D封裝成為了許多電子系統(tǒng)制造商的首選封裝技術12。

熱管理問題

由于多個芯片緊密集成，熱密度較高，需要有效的熱管理方案。這是2.5D封裝技術面臨的一個重要挑戰(zhàn)，需要在設計和制造過程中考慮到熱管理和散熱問題

3D封裝定義與特點

3D封裝技術是一種先進的集成電路封裝技術，它通過在垂直方向上堆疊多個芯片，實現(xiàn)了更高的封裝密度和性能。以下是根據(jù)搜索結(jié)果整理的3D封裝的定義和主要特點：

定義

3D封裝，又稱為3D晶圓級封裝（WLP），是一種封裝技術，它允許在不改變封裝體尺寸的前提下，在同一個封裝體內(nèi)于垂直方向疊放兩個以上芯片。這種技術起源于快閃存儲器（NOR/NAND）及SDRAM的疊層封裝12。

主要特點

多功能性與高效能

3D封裝的主要特點是多功能、高效能。它可以使得單位體積上的功能及應用成倍提升12。

大容量高密度

3D封裝能夠?qū)崿F(xiàn)大容量高密度，這是因為在垂直方向上增加了芯片的堆疊，從而顯著提高了封裝密度12。

低成本

除了提供高性能之外，3D封裝還具有較低的成本，這使得它在商業(yè)上更具吸引力12。

封裝趨勢與分類

封裝趨勢是疊層封（PoP），低產(chǎn)率芯片似乎傾向于PoP。另一方面，多芯片封裝（MCP）方法被用于高密度和高性能的芯片。此外，系統(tǒng)級封裝（SiP）技術也是主要趨勢之一，其中邏輯器件和存儲器件都在各自的工藝下制造，然后在一個SiP封裝內(nèi)結(jié)合在一起12。

高速度、高性能、高可靠性

多芯封裝（MCP）技術追求高速度、高性能、高可靠性和多功能，而不只是像一般混合IC技術那樣以縮小體積重量為主12。

散熱問題與可靠性限制

雖然3D封裝帶來了許多優(yōu)勢，但它也帶來了散熱問題，并且在長期可靠性方面有所限制。這是因為高效能運算、人工智能等應用興起以及TSV技術的逐漸成熟,越來越多的CPU、GPU和記憶體開始采用3D封裝。3D領域主要有臺積電的SoIC、英特爾的Foveros、三星的X-Cube3。

結(jié)構(gòu)復雜性與散熱設計挑戰(zhàn)

3D封裝結(jié)構(gòu)較為復雜，散熱設計及可靠性控制都比2D芯片封裝更具挑戰(zhàn)性。研究3D封裝結(jié)構(gòu)設計與散熱設計具有非常迫切的理論意義和實際應用價值4。

高度集成與信號傳輸速度提升

3D封裝體內(nèi)部單位面積互連點數(shù)大大增加，集成度更高，外部連接點數(shù)也更少，從而提升了IC芯片工作穩(wěn)定性。此外，3D封裝能夠顯著縮短芯片間導線長度，從而提升信號傳輸速度，降低了信號時延與線路干擾，深入提升了電氣性能.

2.5D封裝與3D封裝的異同

2.5D封裝通常被視為是結(jié)合了2D和3D特點的中間技術，因為它使用了中介層和一些3D封裝的特性，但它避免了3D封裝中直接在芯片上制作TSV的復雜性和成本。

2.5D封裝與3D封裝的異同

2.5D封裝和3D封裝都是新興的半導體封裝技術，它們都可以實現(xiàn)芯片間的高速、高密度互連，從而提高系統(tǒng)的性能和集成度。以下是它們的一些主要異同點：

1. 互連方式的不同

2.5D封裝是通過TSV（Through Silicon Vias）轉(zhuǎn)換板連接芯片，而3D封裝則是將多個芯片垂直堆疊在一起，并通過直接鍵合技術實現(xiàn)芯片間的互連。在2.5D結(jié)構(gòu)中，兩個或多個有源半導體芯片并排放置在硅中介層上，以實現(xiàn)極高的芯片到芯片互連密度。而在3D結(jié)構(gòu)中，有源芯片通過芯片堆疊集成，以實現(xiàn)最短的互連和最小的封裝尺寸13。

2. 制造工藝的不同

2.5D封裝需要制造硅基中介層，并且需要進行微影技術等復雜的工藝步驟；而3DIC封裝則需要進行直接鍵合技術等高難度的制造工藝步驟13。

3. 應用場景的不同

2.5D封裝通常應用于高性能計算、網(wǎng)絡通信、人工智能、移動設備等領域，具有較高的性能和靈活的設計；而3DIC封裝通常應用于存儲器、傳感器、醫(yī)療器械等領域，具有較高的集成度和較小的封裝體積14。

4. 技術特點和優(yōu)勢

2.5D封裝的概念與2.5D封裝類似，但與傳統(tǒng)2.5D封裝的區(qū)別在于沒有TSV。因此，EMIB技術具有封裝良率正常、無需額外工藝、設計簡單等優(yōu)點。臺積電的CoWoS技術也是一種2.5D封裝技術，根據(jù)中介層的不同，可分為三類：CoWoS_S（使用Si襯底作為中介層）、CoWoS_R（使用RDL作為中介層）、CoWoS_L（使用小芯片(Chiplet)和RDL作為中介層）。三星的I-Cube也是2.5D封裝技術的一種解決方案34。

另一方面，3D封裝技術如臺積電的SoIC技術，屬于3D封裝，是wafer-on-wafer鍵合技術。SoIC技術采用TSV技術，可以實現(xiàn)非凸點鍵合結(jié)構(gòu)，將許多不同性質(zhì)的相鄰芯片集成在一起。SoIC技術將同類和異構(gòu)小芯片集成到單個類似SoC的芯片中，該芯片具有更小的尺寸和更薄的外形，可以單片集成到高級WLSI（又名CoWoS和InFO）中。新集成的芯片從外觀上看是一顆通用SoC芯片，但內(nèi)嵌了所需的異構(gòu)集成功能。

先進封裝芯片封裝清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

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