一、CoWoS技術概述

1. 技術定義與結構
CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）是臺積電開發(fā)的2.5D先進封裝技術，通過將芯片（CoW）連接至硅晶圓中介層，再整合到基板（oS）上實現(xiàn)多芯片互聯(lián)。其核心優(yōu)勢在于：

• 硅中介層技術：使用微凸塊（μBumps）、硅通孔（TSV）替代傳統(tǒng)引線鍵合，提升互聯(lián)密度和數(shù)據(jù)傳輸帶寬。

• 分類差異：

• CoWoS-S：硅基中介層，適用于高性能計算，支持最高晶體管密度（如英偉達H100采用的CoWoS-S5，硅中介層面積達2500mm2）。

• CoWoS-L：結合RDL（重布線層）與局部硅互連（LSI），成本更低且靈活性更高，2024年已量產，未來可能成為主流。

• CoWoS-R：基于InFO技術的RDL層互聯(lián)，適用于中等密度堆疊場景。

2. 技術優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

• 優(yōu)勢：高度集成、高速低延遲、高性價比（如H100中硅中介層成本占比僅8%）。

• 挑戰(zhàn)：硅中介層產能受限（光刻機限制、良率損失）、HBM堆疊復雜性提升（HBM3需12層堆疊）。

二、市場應用現(xiàn)狀

1. 主要應用領域

• AI算力芯片：英偉達H100、Blackwell系列GPU依賴CoWoS封裝，占臺積電CoWoS產能的50%以上。

• 高帶寬內存（HBM）：HBM3/4需通過CoWoS實現(xiàn)與計算芯片的異構集成，HBM產能受CoWoS限制。

2. 產能與競爭格局

• 全球產能：2024年底臺積電月產能達4萬片，2025年預計增至8萬片，整體市場月產能超9.2萬片（含日月光、安靠）。

• 客戶集中度：英偉達是最大客戶，其Blackwell系列推動臺積電2025年轉向CoWoS-L工藝（占比54.6%）。

三、市場前景與發(fā)展趨勢

1. 技術演進方向

• CoWoS-L主導：通過LSI替代硅中介層，降低成本并提升彈性，支持12顆HBM3堆疊，2025年第四季度成主流。

• 光電集成：臺積電計劃2026年整合CoWoS與硅光子（SiPh）技術，推出共封裝光學器件（CPO），提升數(shù)據(jù)中心光通信效率。

2. 市場增長驅動因素

• AI需求爆發(fā)：云端AI加速器推動2025年CoWoS需求激增，英偉達GB200等產品需更高封裝密度。

• 后摩爾定律時代：先進封裝成提升芯片性能關鍵路徑，2025年中國先進封裝市場規(guī)模將超1100億元（CAGR 26.5%）。

3. 中國大陸企業(yè)布局

• 長電科技、通富微電、華天科技：已掌握2.5D/3D封裝技術，推進FOPLP（扇出型面板級封裝）驗證，有望分食HBM封裝市場。

四、風險與挑戰(zhàn)

1. 產能瓶頸：硅中介層制造難度高，65nm光刻機產能不足可能制約擴張。

2. 技術替代風險：英偉達計劃2025年提前導入FOPLP技術，緩解CoWoS壓力。

3. 貿易摩擦：美國芯片法案限制對中國技術出口，影響本土企業(yè)技術突破。

先進封裝芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據(jù)主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運用自身原創(chuàng)的產品技術，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。

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