FC倒裝芯片（Flip-Chip）封裝工藝通過將芯片主動面朝下直接與基板互連，實現(xiàn)高密度、高性能的封裝效果。其核心流程和技術(shù)要點如下：

一、核心工藝流程

1. 芯片檢測與預(yù)處理

   
   

• 通過電性能測試和光學檢測篩選合格芯片，并完成圓片減?。繕撕穸瓤刂圃凇?5μm以內(nèi)）。

• 在芯片I/O觸點上制作金屬凸塊（如錫球、銅柱或金凸塊），形成UBM（Under Bump Metallization）結(jié)構(gòu)以增強焊點可靠性。

2. 倒裝貼片與焊接

• 利用高精度貼片機（精度需達10-12μm@3σ）將芯片翻轉(zhuǎn)180°，使凸塊對準基板焊盤。

• 通過熱壓焊接或回流焊（溫度曲線需精確控制）實現(xiàn)凸塊與基板的冶金連接，注意避免焊料橋連或斷路。

3. 底部填充（Underfill）

• 在芯片與基板間隙注入環(huán)氧樹脂膠，通過毛細流動或非流動性填充技術(shù)分散熱應(yīng)力，防止CTE不匹配導致的焊點開裂。

• 需控制填充速度、溫度和固化條件，確保無氣泡殘留。

4. 封裝與測試

• 使用模塑料（EMC）或?qū)щ姌渲z進行整體塑封，部分工藝需結(jié)合EMI金屬濺鍍實現(xiàn)電磁屏蔽。

• 執(zhí)行功能測試、X-ray檢測及可靠性驗證（如溫度循環(huán)、機械沖擊）。

二、關(guān)鍵技術(shù)優(yōu)化方向

1. 凸塊工藝優(yōu)化

• 采用錫膏印刷、電鍍或噴注技術(shù)制作微凸塊（球徑可小至25μm），需平衡成本與精度。

• 銅柱凸塊可縮小間距至50μm，提升I/O密度。

2. 焊接與對位控制

• 使用百萬像素相機識別微小焊球（直徑0.05mm），結(jié)合激光對位系統(tǒng)提升貼裝精度。

• 基板翹曲需控制在50μm以內(nèi)，防止焊接偏移。

3. 材料與結(jié)構(gòu)設(shè)計

• 選擇低CTE基板（如有機材料/陶瓷）與高導熱底部填料，優(yōu)化散熱路徑。

• 多芯片平置或疊層混聯(lián)結(jié)構(gòu)可進一步縮小封裝尺寸，但需解決熱應(yīng)力累積問題。

三、典型應(yīng)用與挑戰(zhàn)

• 應(yīng)用領(lǐng)域：手機處理器、射頻模塊（Wi-Fi）、圖像傳感器、高密度SiP封裝等。

• 挑戰(zhàn)：

• 設(shè)計復雜度高（需協(xié)同考慮電、熱、機械性能）；

• 制造成本攀升（依賴高精度設(shè)備和先進材料）；

• 可維修性差，失效后需整體更換。

通過持續(xù)改進凸塊微縮化、焊接精度和材料匹配性，F(xiàn)C倒裝芯片技術(shù)將持續(xù)推動高性能計算和微型化電子設(shè)備的發(fā)展。如需更詳細的工藝參數(shù)或案例，可參考原文鏈接。

FC芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。

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