碳化硅功率模塊是使用碳化硅半導體作為開關的功率模塊。 

碳化硅功率模塊用于轉換電能，轉換效率高 — 功率是指電流和電壓的乘積。碳化硅半導體帶隙寬，用于 MOSFET 中時，開關損耗極低，因此相較于普通的硅器件，可允許更高的開關頻率。同時，與傳統(tǒng)的硅半導體相比，碳化硅半導體能夠在更高的溫度和更高的電壓下工作。

大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。

由IGBT的尾電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：

1. 開關損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化
   （例：散熱片的小型化，水冷/強制風冷的自然風冷化）

2. 工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化
   （例：電抗器或電容等的小型化）

主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調節(jié)器等。

現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型的模塊。

分為由SiC MOSFET + SiC SBD構成的類型和只由SiC MOSFET構成的類型兩種，可根據用途進行選擇。

SiC模塊功率半導體器件清洗：

針對各類半導體不同的封裝工藝如功率器件QFN，為保證產品的可靠性，合明科技研發(fā)多款自主知識產權專利清洗劑，針對不同工藝及應用的半導體封裝需要的精密清洗要求，合明科技在水基清洗方面開發(fā)了較為完整的水基系列產品，精細化對應涵蓋從半導體封裝到PCBA組件終端，包括有水基清洗劑和半水基清洗劑，堿性水基清洗劑和中性水基清洗劑等。具體表現在，在同等的清洗力的情況下，合明科技的兼容性較佳，兼容的材料更為廣泛;在同等的兼容性下，合明科技的功率器件QFN清洗劑清洗的錫膏種類更多(測試過的錫膏品種有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;測試過的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分)，清洗速度更快，離子殘留低、干凈度更好。

合明科技專注電子制程精密清洗20多年經驗，在水基清洗劑方面頗有心得，包括油墨水基清洗劑，環(huán)保清洗劑，半導體芯片封裝水基清洗劑等數十款產品，多年來受到無數客戶的青睞。我們有強大的售前技術指導和最貼心的服務，水基清洗，選擇合科技，決不會讓您失望！

合明科技運用自身原創(chuàng)的產品技術，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。

以上便是功率器件的材料的演進與功率器件電子芯片清洗介紹介紹，希望可以幫到您！