硅片清洗的方法

硅片清洗的英文名:silicon wafer cleaning,為了防止器件失效,在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)過程中硅片必須經(jīng)過嚴(yán)格清洗, 硅片清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì)，包括有機(jī)物和無機(jī)物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面,這些表面污漬會(huì)導(dǎo)致各種缺陷影響器件性能。清除污染的方法有物理清洗和化學(xué)清洗兩種。

接下來我給大家詳細(xì)講解一下硅片清洗的方法,希望能對(duì)您有所幫助!

硅片化學(xué)清洗方法: 
硅片化學(xué)清洗是為了除去原子、離子不可見的污染物,方法較多,有溶劑萃取、酸洗（硫酸、硝酸、王水、各種混合酸等）和等離子體法等。其中雙氧水體系清洗方法效果好，環(huán)境污染小。一般方法是將硅片先用成分比為H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的強(qiáng)氧化性,將有機(jī)物分解而除去；用超純水沖洗后,再用成分比為H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的堿性清洗液清洗,由于H2O2的氧化作用和NH4OH的絡(luò)合作用，許多金屬離子形成穩(wěn)定的可溶性絡(luò)合物而溶于水；然后使用成分比為H2O:H2O2:HCL=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液，由于H2O2的氧化作用和鹽酸的溶解，以及氯離子的絡(luò)合性，許多金屬生成溶于水的絡(luò)離子，從而達(dá)到清洗的目的。

硅片物理清洗方法: 

1、刷洗或擦洗:可除去顆粒污染和大多數(shù)粘在片子上的薄膜。

2、高壓清洗：是用液體噴射片子表面，噴嘴的壓力高達(dá)幾百個(gè)大氣壓。高壓清洗靠噴射作用，片子不易產(chǎn)生劃痕和損傷。但高壓噴射會(huì)產(chǎn)生靜電作用，靠調(diào)節(jié)噴嘴到片子的距離、角度或加入防靜電劑加以避免。

3、超聲波清洗：超聲波聲能傳入溶液,靠氣蝕作用洗掉片子上的污染。但是,從有圖形的片子上除去小于 1微米顆粒則比較困難。將頻率提高到超高頻頻段，清洗效果更好。

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