芯片作為現(xiàn)代科學技術的核心，對于國家的科技實力和經濟發(fā)展至關重要。最近，中國在芯片領域取得了重大突破，開啟了中國科技創(chuàng)新和自主發(fā)展的新時代。這一突破不僅在世界范圍內引起了巨大的轟動和關注，也展示了中國芯片產業(yè)的崛起和實力，成為國際科技舞臺上的重要一筆。

據清華大學公眾號10月9日消息，近期，清華大學集成電路學院教授吳華強、副教授高濱基于存算一體計算范式，研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學習(機器學習能在硬件端直接完成)的憶阻器存算一體芯片，在支持片上學習的憶阻器存算一體芯片領域取得重大突破，有望促進人工智能、自動駕駛可穿戴設備等領域的發(fā)展。該研究成果日前發(fā)表在《科學》上。

憶阻器存算一體學習芯片及測試系統(tǒng) （圖片來源：清華大學）

記憶電阻器，是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件。它可以在斷電之后，仍能“記憶”電阻狀態(tài)，被當做新型納米電子突觸器件。

面向傳統(tǒng)存算分離架構制約算力提升的重大挑戰(zhàn)，吳華強、高濱聚焦憶阻器存算一體技術研究，探索實現(xiàn)計算機系統(tǒng)新范式。憶阻器存算一體技術在底層器件、電路架構和計算范式上全面顛覆了馮·諾依曼傳統(tǒng)計算架構，可實現(xiàn)算力和能效的跨越式提升，同時，該技術還可利用底層器件的學習特性，支持實時片上學習，賦能基于本地學習的邊緣訓練新場景。

課題組基于存算一體計算范式，創(chuàng)造性提出適配憶阻器存算一體實現(xiàn)高效片上學習的新型通用算法和架構，通過算法、架構、集成方式的全流程協(xié)同創(chuàng)新，研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學習的憶阻器存算一體芯片。

憶阻器芯片的研發(fā)面臨著技術挑戰(zhàn)和工程挑戰(zhàn)。

據了解，憶阻器芯片的研發(fā)涉及到材料科學、物理學、電子工程等多學科的前沿知識。在諸多技術難題中，首先要解決的是如何實現(xiàn)憶阻器件的大規(guī)模集成。通過大量實驗和理論研究，團隊提出了架構-電路-工藝協(xié)同優(yōu)化方法，為存算一體系統(tǒng)的設計提供了指導。

有了大規(guī)模集成的工藝、關鍵的電路設計，如何克服底層多尺度非理想導致的誤差，集合成一個高效的系統(tǒng)芯片？在團隊老師和學生的共同努力下，研究提出STELLAR 架構，完成算法優(yōu)化及仿真實驗，制備出全系統(tǒng)集成的高效存算一體學習芯片，實現(xiàn)速度和能效的大幅提升。

展望未來，隨著憶阻器的存儲和計算集成芯片的進一步發(fā)展和優(yōu)化，人工智能和機器學習技術將迎來更廣闊的應用前景。無論是在物聯(lián)網、自動駕駛、智慧醫(yī)療還是智能家居等領域，這種新型芯片都將為高效計算和學習提供強有力的支持，推動人工智能技術的普及和發(fā)展。清華大學集成電路研究所的這一研究成果，必將為我國在芯片領域的自主創(chuàng)新發(fā)展提供有力支撐，為科技進步和國家安全提供重要保障。

消息來源：清華大學公眾號