芯片制造技術(shù)工藝主要分為以下幾大類，涵蓋從原材料處理到封裝測試的全流程：

一、前道核心工藝

1. 光刻技術(shù)
   通過光刻膠涂覆、掩模曝光和顯影形成電路圖案，是芯片制造的核心技術(shù)。關(guān)鍵技術(shù)包括：

• 光刻膠旋涂與烘烤

• 深紫外（DUV）或極紫外（EUV）曝光

• 多重曝光（Multi-Patterning）

2. 刻蝕工藝
   利用化學或物理方法去除未被光刻膠保護的材料，分為：

• 干法刻蝕（等離子體刻蝕）

• 濕法刻蝕（化學溶液腐蝕）

3. 摻雜技術(shù)
   通過離子注入或高溫擴散改變半導體導電特性，形成PN結(jié)：

• 離子注入：精確控制摻雜深度和濃度

• 擴散工藝：適用于大尺寸器件

二、薄膜與摻雜工藝

1. 薄膜沉積技術(shù)

• 物理氣相沉積（PVD）：濺射、蒸發(fā)法，用于金屬層

• 化學氣相沉積（CVD）：包括PECVD、LPCVD等，用于介質(zhì)層

• 原子層沉積（ALD）：納米級薄膜控制

2. 氧化工藝
   生成二氧化硅絕緣層，分干氧氧化（高質(zhì)量界面）和濕氧氧化（快速厚膜）

三、互連與封裝技術(shù)

1. 金屬互連
   采用銅互連或鋁互連技術(shù)，通過雙大馬士革工藝形成多層布線

2. 芯片鍵合

• 楔型鍵合：高可靠性，適用于汽車電子

• 球型鍵合：高效率，用于微型集成電路

• 凸點鍵合：高密度I/O，適用3D封裝

3. 先進封裝
   包括倒裝芯片（Flip-Chip）、扇出型封裝（Fan-Out）、硅通孔（TSV）等技術(shù)

四、測試與后處理

1. 晶圓級測試
   通過探針臺進行電性測試，篩選合格晶粒

2. 化學機械拋光（CMP）
   確保晶圓表面平整度，支持多層結(jié)構(gòu)

3. 切割與清洗
   激光切割或金剛石刀片切割，配合超純水/化學清洗

五、特殊工藝技術(shù)

1. SOI技術(shù)
   絕緣體上硅，用于高頻低功耗器件

2. FinFET/納米片結(jié)構(gòu)
   三維晶體管制造技術(shù)

3. EUV光刻配套工藝
   包括光刻膠研發(fā)、掩模缺陷修正等

技術(shù)演進趨勢

當前工藝正向3nm/2nm節(jié)點發(fā)展，關(guān)鍵突破包括：

• EUV雙重圖案化技術(shù)

• 高遷移率溝道材料（如SiGe）

• 環(huán)繞柵極（GAA）結(jié)構(gòu)

以上分類可參考具體工藝文檔進一步展開，例如詳細描述了集成電路制造全流程，重點解析了封裝鍵合技術(shù)，系統(tǒng)梳理了前道與后道工藝界限。

芯片封裝清洗介紹

·         合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

·         水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

·         污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

·         這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

·         合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。