集成電路封裝技術(shù)發(fā)展歷程

通孔插裝階段（20世紀70年代以前）

通孔插裝階段以雙列直插封裝（DIP）為代表，DIP適合在印刷電路板上穿孔焊接，操作方便。然而，由于芯片面積和封裝面積之比相差大，導(dǎo)致封裝完成后體積較大，因此在無法滿足小型化等要求的情況下逐步被淘汰。

表面貼裝階段（20世紀80年代）

20世紀80年代是表面貼裝時代，以薄型小尺寸封裝技術(shù)（TSOP）為代表，到目前為止依然保留著內(nèi)存封裝的主流地位。改進的TSOP技術(shù)依然被部分內(nèi)存制造商所采用。

面積陣列封裝階段（20世紀90年代）

20世紀90年代出現(xiàn)了跨越式發(fā)展，進入了面積陣列封裝時代，該階段出現(xiàn)了球柵陣列封裝（BGA）為代表的先進封裝技術(shù)，這種技術(shù)在縮減體積的同時提高了系統(tǒng)性能。其次還有芯片尺寸封裝（CSP）、無引線四邊扁平封裝（PQFN）、多芯片組件（MCM）。BGA技術(shù)的成功開發(fā)，讓一直落后于芯片發(fā)展的封裝終于追上了芯片發(fā)展的步伐，CSP技術(shù)解決了長期存在的芯片小，封裝大的矛盾，引發(fā)了集成電路封裝領(lǐng)域的技術(shù)革命。

三維封裝、系統(tǒng)級封裝階段（進入21世紀）

進入21世紀，封裝技術(shù)迎來了三維封裝、系統(tǒng)級封裝的時代。它在封裝觀念上發(fā)生了革命性的變化，從原來的封裝元件概念演變成封裝系統(tǒng)，主要有系統(tǒng)級芯片封裝（SoC）、微機電系統(tǒng)封裝（MEMS）。

發(fā)展趨勢

集成電路封裝技術(shù)發(fā)展已經(jīng)進入到先進封裝技術(shù)時代，未來集成電路封裝技術(shù)的發(fā)展主要呈現(xiàn)三大趨勢：

1. 功能多樣化：封裝對象從最初的單裸片向多裸片發(fā)展，一個芯片封裝下可能有多種不同功能的裸片。

2. 連接多樣化：封裝下的內(nèi)部互連技術(shù)不斷多樣化，從凸塊（Bumping）到嵌入式互連，連接的密度不斷提升。

3. 堆疊多樣化：器件排列已經(jīng)從平面逐漸走向立體，通過組合不同的互連方式構(gòu)建豐富的堆疊拓撲。

以上就是集成電路封裝技術(shù)的發(fā)展歷程及其未來趨勢的詳細介紹。

芯片封裝清洗介紹

·         合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

·         水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

·         污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導(dǎo)致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

·         這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

·         合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。