一、半導(dǎo)體制造技術(shù)國產(chǎn)化的整體發(fā)展態(tài)勢

近年來，半導(dǎo)體制造技術(shù)國產(chǎn)化呈現(xiàn)出積極發(fā)展的態(tài)勢。一方面，在政策的大力支持下，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境不斷優(yōu)化。例如“十三五”規(guī)劃明確提出要推進(jìn)包括CMP設(shè)備在內(nèi)的集成電路專用設(shè)備關(guān)鍵核心技術(shù)的突破和應(yīng)用，這為半導(dǎo)體制造技術(shù)國產(chǎn)化提供了政策導(dǎo)向和支持。另一方面，市場需求的增長也推動著國產(chǎn)化進(jìn)程。中國大陸有著全球最大的芯片市場和半導(dǎo)體設(shè)備市場，這為本土半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展提供了廣闊的空間和動力。

二、不同制造環(huán)節(jié)的國產(chǎn)化進(jìn)展

（一）設(shè)備制造環(huán)節(jié)

1. 部分設(shè)備取得進(jìn)展

• 在刻蝕設(shè)備方面，國產(chǎn)化率低于30%，但國內(nèi)企業(yè)在不斷加大研發(fā)投入，一些企業(yè)如中微公司等在刻蝕技術(shù)上已經(jīng)取得了一定的成果，其產(chǎn)品在國內(nèi)市場中也開始占據(jù)一定份額，并且技術(shù)水平不斷提升，逐步實(shí)現(xiàn)對國外同類產(chǎn)品的替代，尤其在一些特定的刻蝕工藝上已經(jīng)能夠滿足國內(nèi)晶圓廠的部分需求。

• 清洗設(shè)備的國產(chǎn)化率高于30%，國內(nèi)企業(yè)在清洗設(shè)備技術(shù)上相對成熟，能夠提供多種清洗工藝的設(shè)備，滿足國內(nèi)半導(dǎo)體制造企業(yè)的部分清洗需求，在國內(nèi)市場中具有一定的競爭力，并且隨著技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，清洗設(shè)備的國產(chǎn)化程度有望繼續(xù)提高。

2. 仍面臨挑戰(zhàn)的設(shè)備領(lǐng)域

• 光刻設(shè)備是半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備之一，然而我國在光刻技術(shù)方面與國際先進(jìn)水平存在較大差距。目前國內(nèi)最先進(jìn)的光刻機(jī)是上海微電子裝備的90納米工藝光刻機(jī)，而世界領(lǐng)先水平是荷蘭ASML的5納米工藝極紫外光刻機(jī)（EUV），差距在10代以上。光刻設(shè)備技術(shù)難度極高，涉及到光學(xué)、精密機(jī)械、電子等多個(gè)領(lǐng)域的尖端技術(shù)，國內(nèi)在光源系統(tǒng)、鏡頭制造等關(guān)鍵技術(shù)上還面臨諸多技術(shù)瓶頸需要突破。

• 薄膜沉積設(shè)備國產(chǎn)化率低于20%，其中CVD設(shè)備國產(chǎn)化率為5% - 10%，PVD設(shè)備國產(chǎn)化率在10%左右。薄膜沉積設(shè)備對于制造高質(zhì)量的半導(dǎo)體薄膜層至關(guān)重要，國內(nèi)企業(yè)在薄膜沉積設(shè)備的工藝穩(wěn)定性、沉積速率、薄膜均勻性等方面還需要進(jìn)一步提升技術(shù)水平，以滿足先進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝的要求。

（二）材料供應(yīng)環(huán)節(jié)

1. 基礎(chǔ)材料部分實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化

• 在硅晶圓方面，我國已經(jīng)有企業(yè)在大硅片材料上進(jìn)行國產(chǎn)化探索并取得了一定成果。例如立昂微承擔(dān)了多項(xiàng)國家重大科研項(xiàng)目，成功實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體硅片產(chǎn)業(yè)化，并形成量產(chǎn)規(guī)模，有效提升了我國大硅片材料自主供應(yīng)能力，緩解了國內(nèi)半導(dǎo)體大硅片的短缺問題，但全球半導(dǎo)體硅片尤其是大尺寸硅片90%以上的市場份額仍被海外企業(yè)所壟斷。

• 在一些特種化學(xué)品如研磨液、清洗液等方面，國內(nèi)企業(yè)通過自主研發(fā)也取得了進(jìn)展。部分企業(yè)建立了產(chǎn)學(xué)研研發(fā)平臺，投入大量的人力和時(shí)間進(jìn)行研發(fā)，例如有的企業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)由三個(gè)博士帶領(lǐng)五個(gè)研究生和五個(gè)碩士，經(jīng)過三年的研發(fā)攻破了研磨液的關(guān)鍵技術(shù)問題，能夠?yàn)榘雽?dǎo)體制造過程中的硅片研磨等環(huán)節(jié)提供材料支持，但整體來看，半導(dǎo)體材料領(lǐng)域日本、美國和德國等國家的企業(yè)仍占據(jù)90%左右的市場份額，我國在材料領(lǐng)域的國產(chǎn)化還有很長的路要走。

2. 高端材料依賴進(jìn)口情況仍較嚴(yán)重

• 在光刻膠等高端半導(dǎo)體材料方面，我國仍然高度依賴進(jìn)口。光刻膠是光刻工藝中的關(guān)鍵材料，其性能直接影響芯片的分辨率、精度等關(guān)鍵指標(biāo)。由于光刻膠的研發(fā)和生產(chǎn)需要高精度的化學(xué)合成技術(shù)和嚴(yán)格的生產(chǎn)環(huán)境控制，國內(nèi)企業(yè)在光刻膠的研發(fā)和生產(chǎn)上還處于起步階段，無法滿足國內(nèi)半導(dǎo)體制造企業(yè)對于高端光刻膠的需求。

（三）封裝測試環(huán)節(jié)

• 中國在封裝測試領(lǐng)域處于世界領(lǐng)先地位，占據(jù)了全球市場份額的40%左右。國內(nèi)擁有一些具有國際影響力的封測企業(yè)，如長電科技、晶方科技、華天科技等，其產(chǎn)品涵蓋了從傳統(tǒng)封裝到先進(jìn)封裝的各種類型。在先進(jìn)封裝技術(shù)方面，國內(nèi)企業(yè)也在不斷探索和發(fā)展，例如觸點(diǎn)智能在半導(dǎo)體芯片與模組精密封裝設(shè)備領(lǐng)域研發(fā)的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)三項(xiàng)全國第一：國內(nèi)首家量產(chǎn)CMOS固晶機(jī)、國內(nèi)首家量產(chǎn)COB整線、國內(nèi)首家超薄疊Die固晶機(jī)，為我國半導(dǎo)體封裝設(shè)備產(chǎn)業(yè)從產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈低端向上爬升做出了貢獻(xiàn)。

半導(dǎo)體封裝清洗劑W3100介紹

半導(dǎo)體封裝清洗劑W3100是合明科技開發(fā)具有創(chuàng)新型的中性水基清洗劑，專門設(shè)計(jì)用于浸沒式的清洗工藝。適用于清洗去除半導(dǎo)體電子器件上的助焊劑殘留物，如引線框架、分立器件、功率模塊、倒裝芯片、攝像頭模組等。本品是PH中性的水基清洗劑，因此具有良好的材料兼容性。

半導(dǎo)體封裝清洗劑W3100的產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、本品可以用去離子水稀釋后使用，稀釋后為均勻單相液，應(yīng)用過程簡單方便。

2、產(chǎn)品PH值呈中性，對鋁、銅、鎳、塑料、標(biāo)簽等敏感材料上顯示出極好的材料兼容性。

3、不含鹵素，材料環(huán)保；氣味清淡，使用液無閃點(diǎn)，使用安全，不需要額外的防爆措施。

4、由于PH中性，減輕污水處理難度。

半導(dǎo)體封裝清洗劑W3100的適用工藝：

水基清洗劑W3100適用于浸沒式的清洗工藝。

半導(dǎo)體封裝清洗劑W3100產(chǎn)品應(yīng)用：

水基清洗劑W3100是合明科技開發(fā)具有創(chuàng)新型的中性水基清洗劑，適用于清洗去除半導(dǎo)體電子器件上的助焊劑殘留物，如引線框架清洗、分立器件清洗、功率模塊清洗、倒裝芯片清洗、攝像頭模組清洗等。本產(chǎn)品PH值呈中性，對鋁、銅、鎳、塑料、標(biāo)簽等敏感材料上顯示出極好的材料兼容性。