功率器件幾大技術路線分析

線寬、器件結構、工藝進步、材料迭代

功率器件技術的發(fā)展包含了多個技術路徑，主要包括線寬、器件結構、工藝進步、材料迭代等方面。這些技術路徑共同推動著功率器件向著更高的功率密度、更低的功耗與成本以及多功能集成的方向發(fā)展。例如，第三代半導體材料的引入和集成化趨勢的加強，都是功率器件技術進步的重要體現(xiàn)。

SiC、Si、藍寶石襯底

功率GaN器件的襯底主要有SiC、Si、藍寶石這三種。GaNonSiC主要在射頻領域用于功率放大器，GaNonSapphire則主要用于LED領域。這些不同的襯底材料為功率器件提供了多樣化的技術路線，以適應不同的應用需求。

平面型和垂直型結構

垂直GaN中“垂直”是指器件的結構，簡單可以理解為器件中陽極和陰極相對的位置。目前大多數(shù)硅基GaN器件是平面型結構，即陽極和陰極處于芯片同一平面上，導通電流在器件中橫向流動；而垂直型GaN一般是基于GaN襯底，GaN襯底底面為陰極，陽極則位于上方，導通電流是豎向流動。垂直結構能夠更容易產生雪崩效應，這是一種設備自我保護的重要屬性，如果器件兩端電壓或導通的電流出現(xiàn)峰值，擁有雪崩特性的器件就可以吸收這些電涌并保持正常運行，在工業(yè)領域有很大的應用空間。

D-Mode和E-Mode器件

D-ModeGaN器件在沒有施加門極電壓時，器件處于導通狀態(tài)，需要施加負向門極電壓來關閉器件。這種器件具有較好的線性特性和較低的開關損耗，適用于一些需要高精度控制和低噪聲的應用，比如音頻放大器、射頻功率放大器等。而E-ModeGaN器件則相反，它們在沒有施加門極電壓時處于關閉狀態(tài)，需要正向門極電壓來開啟器件。E-Mode器件通常不需要Cascode結構，封裝復雜度較低，開關頻率也因此不受限制，適用于更廣泛的功率變換應用。

結論

綜上所述，功率器件技術路線的多樣化為不同應用場景提供了豐富的選擇。從材料到結構，再到工藝的進步，每一項技術的發(fā)展都在不斷提升功率器件的性能和應用范圍。隨著技術的不斷進步，我們可以期待功率器件在未來能夠更好地滿足各種電子裝置的需求。

功率器件芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據(jù)主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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