典型先進(jìn)封裝技術(shù)類別與SIP先進(jìn)封裝清洗介紹

一、典型先進(jìn)封裝技術(shù)類別：

1、倒裝封裝：

倒裝封裝(Flip-Chip)，是在I/O底板上沉積錫鉛球，然后將芯片翻轉(zhuǎn)加熱，利用熔融的錫鉛球與陶瓷機(jī)板相結(jié)合來替換傳統(tǒng)的打線鍵合。

2、晶圓級封裝：

晶圓級芯片封裝技術(shù)(Wafer LevelPackaging)是對整片晶圓進(jìn)行封裝測試后再切割得到單個(gè)成品芯片的技術(shù)，封裝后的芯片尺寸與裸片一致。

扇入型利用RDL層將電信號向內(nèi)擴(kuò)展至芯片中心；扇出型則將電信號向外擴(kuò)展至芯片外的區(qū)域，因此后者可連接更多引腳。

3、2.5D/3D封裝：

2.5D/3D封裝是三維層面的多芯片堆疊封裝工藝，其將多個(gè)芯片進(jìn)行堆疊封裝，需使用TSV硅穿孔技術(shù)，對貼片機(jī)精度要求在2.5-3μm。

其中2.5D封裝技術(shù)是通過中介層將不同芯片進(jìn)行電路連接，電路連接效率更高，速度更快；而3D封裝技術(shù)是直接實(shí)現(xiàn)硅片或者芯片之間的多層堆疊。

4、系統(tǒng)級封裝：

系統(tǒng)中封裝(SiP-System in Package)，是將多種功能芯片，包括處理器、存儲(chǔ)器等功能芯片集成在一個(gè)封裝內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)基本完整的功能SiP技術(shù)通過標(biāo)準(zhǔn)的片外焊線鍵合或焊料凸點(diǎn)連接芯片。

5、先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢：

（1）功能多樣化：封裝對象從最初的單裸片向多裸片發(fā)展，一個(gè)封裝下可能有多種不同功能的裸片；

（2）連接多樣化：封裝下的內(nèi)部互連技術(shù)不斷多樣化，從凸塊（Bumping）到嵌入式互連，連接的密度不斷提升；

（3）堆疊多樣化：器件排列已經(jīng)從平面逐漸走向立體，通過組合不同的互連方式構(gòu)建豐富的堆疊拓?fù)?。先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展延伸和拓展了封裝的概念，從晶圓到系統(tǒng)均可用“封裝”描述集成化的處理工藝。

二、SIP系統(tǒng)級封裝清洗工藝介紹

SIP集合了SMT組件制程工藝和芯片封裝工藝，工藝制成中和工藝完成后，都必須對所產(chǎn)生的焊膏、錫膏殘留物以及其他的污垢進(jìn)行徹底的清洗和去除，從而達(dá)到組件可靠性的技術(shù)要求。因?yàn)槠骷⑿〉年P(guān)系，使得清洗工藝以及清洗難度大幅提高，為了保障清洗的最終結(jié)果，必須嚴(yán)格制定清洗工藝和選擇相應(yīng)的清洗劑，既滿足清除污垢的要求，又能保證良好的材料兼容性。

SIP制程工藝清洗，首要考慮的是選擇合適的清洗工藝。清洗工藝中考慮點(diǎn)： 可選半水基和水基工藝制成，往往在SIP制程中，我們需要考慮針對的清洗對象包括器件和芯片，既要能夠去除器件和芯片相關(guān)的污垢和殘留物，那么清洗劑的選擇尤為重要，工藝的選擇依據(jù)清洗劑的選擇來制定。半水基的兼容性范圍寬，安全性好，去除能力強(qiáng)； 水基成本低，效率高。

在清洗劑選擇中，首先在滿足技術(shù)要求條件的前提下，首選水基工藝，如水基工藝不能滿足工藝制程要求，在材料兼容性上缺乏保障度，其次選擇半水基清洗劑，清洗劑選擇確定以后，而后要考慮的是實(shí)現(xiàn)工藝的設(shè)備條件，清洗劑一般來說都有比較寬泛的使用范圍，都可以適用于噴淋和超聲波清洗工藝，往往SIP清洗工藝制程中，大部分客戶為了考慮SIP器件的可靠性和安全性，首選噴淋清洗工藝。

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