半導(dǎo)體的清洗分為干洗和濕洗
隨著半導(dǎo)體元器件尺寸縮小到微米級(jí)，半導(dǎo)體制造中有效的清洗工藝對(duì)于去除殘留污染物至關(guān)重要！
對(duì)于半導(dǎo)體清洗你又了解有多少呢？其實(shí)半導(dǎo)體的清洗不止一種，但是這些清洗方法都是為了保證較好的良品率。
行業(yè)里大家都知道半導(dǎo)體濕式清洗，實(shí)際上，清洗并非簡單地在水里走幾圈，而是實(shí)實(shí)在在的一套工藝，屬于先進(jìn)制造設(shè)備范疇，其中涉及許多物理和化學(xué)課題。
根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，半導(dǎo)體清洗分為濕法清洗和干法清洗。
濕法清洗：指采用去離子水和化學(xué)溶劑，輔以超聲波、加熱、真空等物理方法，對(duì)晶圓表面進(jìn)行清洗，隨后加以濕潤再干燥，以去除晶圓制造過程中的污染物。濕法清洗過程化學(xué)藥液基本相同，不同工藝主要差別在于輔助方法，也是濕法清洗工藝的主要難點(diǎn)。
干法清洗：指不使用化學(xué)溶劑的清洗技術(shù)，雖然它可清洗污染物比較單一，但在28nm及更先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的邏輯產(chǎn)品和存儲(chǔ)產(chǎn)品中至關(guān)重要。
雖然清洗步驟中90％使用的都是濕法清洗技術(shù)，但在半導(dǎo)體制造中，干法和濕法在短期無法互相替代，并在各自領(lǐng)域向更先進(jìn)方向發(fā)展。
在實(shí)際的硅片切割清洗過程中，一般按按下述辦法進(jìn)行清洗以去除沾污的污染物。
１、用H2O2作強(qiáng)氧化劑，使＂電鍍＂附著到硅表面的金屬離子氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。
２、用無害的小直徑強(qiáng)正離子（如?。龋?，一般用 HCL 作為 H+ 的來源，替代吸附在硅片表面的金屬離子，使其溶解于清洗液中，從而清除金屬離子。
３、用大量去離子水進(jìn)行超聲波清洗，以排除溶液中的金屬離子。
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